本网武汉11月23日电（方政军 乔进 陈婉兰）日前，国家自然科学基金委工程与材料科学部组织专家，在武汉对该校刘胜教授主持的国家重大科研仪器研制项目（部门推荐）“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”进行了结题验收。项目验收技术组、财务组专家，监理组专家，国家自然科学基金委党组成员、副主任陆建华院士，工程与材料科学部常务副主任王岐东，湖北省科技厅副厅长杜耘，校长张平文院士、副校长唐其柱等出席，王岐东主持结题验收会议。

陆建华线上致辞。他指出，高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈，而薄膜生长则是高端芯片制造及集成电路领域的基础。仪器研究项目需要突出研究原创性和科学价值，解决科学问题，帮助科学家解决基础科学问题。希望项目组专家在验收过程中，严格对照项目立项时的各项指进行标逐一核对，同时帮助自然基金委一起探索仪器项目建设的新办法新机制。他强调，项目结题不代表项目结束，而是新的起点，希望项目负责人及研发人员始终坚持永远在一线、永远在状态、永远在学习，牢记重大仪器项目的科学使命，抢占国际科学发展的制高点。

王岐东指出，该项目十分前沿、技术攻关难度较高。他充分肯定了项目依托单位及合作单位从立项、实施、再到结题验收过程中所作的努力和阶段性贡献，希望专家组专家实事求是，以高度负责的态度，从技术、档案、财务各方面按照项目验收指标逐一核对验收，并提出建议性意见和建议。

张平文代表项目建设单位致辞。他指出，该项目是武汉大学乃至华中地区高校首次获得的国家重大科研仪器研制项目，武汉大学倍感责任重大，使命光荣。他充分肯定了刘胜教授及其科研团队在项目执行过程中付出的艰辛努力和取得的成果，介绍了武汉大学从经费、场地、人才引进、研究生培养及项目落地推广等方面提供的支持，并表示将一如既往支持项目的后续攻关和落地转化。

项目负责人、刚刚增选的中国科学院院士刘胜教授从立项背景、设备研制进展情况、关键模块研究进展等方面汇报了项目总体研究成果。项目验收专家组认真审阅了结题验收材料，听取了项目组关于仪器研制的进展和成果总结、项目监理组的监理情况汇报以及现场技术测试、财务验收和档案审核情况汇报，并对仪器设备进行了现场考察。经充分讨论和质询，专家组认为，项目组按照项目任务书完成了相关研究工作，项目任务书所列的仪器各项技术指标均已实现，其中部分关键技术指标优于预期目标，项目经费支出标准合规，组织管理规范，一致同意项目通过结题验收，结果评价为A。

据悉，国家重大科研仪器研制项目（部门推荐）“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”于2017年获批立项，历时5年多协同开展关键技术攻关。该装置的成功研制，推动了我国宽禁带半导体材料异质异构集成等领域核心技术的发展，为实现高端半导体装备与材料自主化制造奠定了坚实的基础，在我国半导体领域“卡脖子”关键技术方面取得了原创性突破。

 编辑：晓颖